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FDFMA2N028Z
0.2
FDFMA2N028Z 数据手册 (8 页)
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FDFMA2N028Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.70 A
封装
MicroFET-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
68 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.4 W
输入电容
455 pF
栅电荷
6.00 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.70 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
455pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.4 W

FDFMA2N028Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
2 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDFMA2N028Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.73 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDFMA2N028 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
集成的N沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管的20V , 3.7A , 68米ヘ Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ
ON Semiconductor(安森美)
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