FDG6322C

器件3D模型

￥ 1.101

FDG6322C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6322C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDG6322C 数据手册 (9 页)

FDG6322C 数据手册 (9 页)

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FDG6322C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

220 mA

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

2.6 Ω

极性

N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel

功耗

300 mW

阈值电压

850 mV

输入电容

114 pF

栅电荷

1.40 nC

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

±25.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

220 mA

上升时间

8.00 ns

输入电容值(Ciss)

9.5pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.3 W

查看数据手册 >

FDG6322C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDG6322C 符合标准

FDG6322C 海关信息

FDG6322C 概述

FDG6322C 数据手册

FDG6322C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.18 MByte

FDG6322C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.18 MByte

FDG6322C 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.06 MByte

FDG6322C 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

12 页 / 0.24 MByte

FDG6322C 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.13 MByte

FDG6322 数据手册

FDG6322C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6322C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV

FDG6322C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6322C, 220 mA，410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

FDG6322C_D87Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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