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IR2101SPBF
器件3D模型
1.358
IR2101SPBF 数据手册 (14 页)
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IR2101SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
工作电压
10V ~ 20V
封装
SOIC-8
上升/下降时间
100ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电流
210 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
静态电流
270 µA
上升时间
170 ns
下降时间
90 ns
下降时间(Max)
90 ns
上升时间(Max)
170 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2101SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2101SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR2101 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101PBF  双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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