FDG6332C_F085 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V

ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6332C, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6332C-F085, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚

场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.18Ω, 700mA, SC-70-6

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C"F085  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.18Ω, 700mA, SC-70-6

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。