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STP10NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP10NM65N 数据手册 (17 页)

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STP10NM65N 数据手册 (17 页)

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STP10NM65N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

430 mΩ

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STP10NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP10NM65N 符合标准

STP10NM65N 海关信息

STP10NM65N 概述

STP10NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.51 MByte

STP10NM65N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 1.48 MByte

STP10NM65 数据手册

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