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FDME1034CZT
0.24
FDME1034CZT 数据手册 (11 页)
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FDME1034CZT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
MicroFET-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.055 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
1.4 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.4A/2.6A
输入电容值(Ciss)
300pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
600 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.4 W

FDME1034CZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDME1034CZT 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.29 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.29 MByte

FDME1034 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1034CZT  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDME1034CZT, 2.6 A,3.8 A, Vds=20 V, 6引脚
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