￥ 19.367

IXFR140N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR140N30P 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFR140N30P 数据手册 (5 页)

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IXFR140N30P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.026 Ω

极性

N-Channel

功耗

360 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

82.0 A

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

14800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFR140N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFR140N30P 符合标准

IXFR140N30P 概述

IXFR140N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXFR140N30P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXFR140N30P 开发手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 1.89 MByte

IXFR140N30 数据手册

IXFR140N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR140N30P 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V

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