IXFH320N10T2

￥ 11.108

IXFH320N10T2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道 100V 320A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH320N10T2 数据手册 (6 页)

IXFH320N10T2 数据手册 (6 页)

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IXFH320N10T2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

1000 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

320A

上升时间

46 ns

输入电容值(Ciss)

26000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1000 W

下降时间

177 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000W (Tc)

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IXFH320N10T2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFH320N10T2 符合标准

IXFH320N10T2 数据手册

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IXYS Semiconductor

6 页 / 0.18 MByte

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