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FDMS7670AS
1.078
FDMS7670AS 数据手册 (8 页)
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FDMS7670AS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-56
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0024 Ω
功耗
2.5 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
3175pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
65 W

FDMS7670AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
6 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDMS7670AS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.37 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.16 MByte

FDMS7670 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670, 105 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670AS, 113 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7670AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 30 V , 3.8英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 3.8 mΩ
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