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FDMC2514SDC
器件3D模型
2.743
FDMC2514SDC 数据手册 (10 页)
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FDMC2514SDC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PQFN-8
漏源极电阻
0.0025 Ω
极性
N-Channel
功耗
60 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
24A
上升时间
3.6 ns
输入电容值(Ciss)
2705pF @13V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 60W (Tc)

FDMC2514SDC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMC2514SDC 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.39 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.17 MByte

FDMC2514 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2514SDC, 106 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
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