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RFP22N10
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RFP22N10 数据手册 (6 页)
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RFP22N10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
22.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
80.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
22.0 A
耗散功率(Max)
100W (Tc)

RFP22N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFP22N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

RFP22 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
22A , 100V , 0.080 Ohm的N通道功率MOSFET 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
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