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FDP047AN08A0
1.588
FDP047AN08A0 数据手册 (12 页)
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FDP047AN08A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.004 Ω
极性
N-Channel
功耗
310 W
阈值电压
4 V
输入电容
6.60 nF
栅电荷
92.0 nC
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
88 ns
输入电容值(Ciss)
6600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310000 mW

FDP047AN08A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP047AN08A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.59 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
161 页 / 1.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDP047AN08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V , 80A , 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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