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FDP18N50
0.611
FDP18N50 数据手册 (10 页)
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FDP18N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
235 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
265 mΩ
极性
N-Channel
功耗
235 W
阈值电压
5 V
输入电容
2.86 nF
栅电荷
60.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
72.0 A
上升时间
165 ns
输入电容值(Ciss)
2860pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
235 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
235W (Tc)

FDP18N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP18N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.45 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
17 页 / 0.86 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.5 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDP18 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 265 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
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