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FDP42AN15A0
2.514
FDP42AN15A0 数据手册 (11 页)
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FDP42AN15A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
35.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.042 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
4 V
输入电容
2.15 nF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
35.0 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
2150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

FDP42AN15A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDP42AN15A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.53 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FDP42AN15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP42AN15A0  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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