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FDP5N50
0.183
FDP5N50 数据手册 (10 页)
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FDP5N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
1.4 Ω
极性
N-CH
功耗
85 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
5A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
85 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
85W (Tc)

FDP5N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP5N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.67 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FDP5 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP52N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP5800  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor(安森美)
FDP52N20 系列 200 V 49 mOhm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FDP55N06 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP55N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V
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