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FDS4672A
器件3D模型
1
FDS4672A 数据手册 (6 页)
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FDS4672A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
11.0 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.01 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.2 V
输入电容
4.77 nF
栅电荷
35.0 nC
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
9.00 ns
输入电容值(Ciss)
4766pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
1.2 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

FDS4672A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDS4672A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
27 页 / 1.02 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDS4672 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
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