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SPU01N60C3
0.25
SPU01N60C3 数据手册 (11 页)
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SPU01N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
800 mA
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
11000 mW
输入电容
100 pF
栅电荷
5.00 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
800 mA
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
11 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
11W (Tc)

SPU01N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPU01N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.88 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.69 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPU01N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3BKMA1, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
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