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FDS4935BZ
器件3D模型
1
FDS4935BZ 数据手册 (5 页)
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FDS4935BZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-6.90 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.018 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
阈值电压
1.9 V
输入电容
1.36 nF
栅电荷
40.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
-6.90 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1360pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW

FDS4935BZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS4935BZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDS4935 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935BZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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