￥ 0.032

2N7002H6327XTSA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON 2N7002H6327XTSA2 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002H6327XTSA2 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

2N7002H6327XTSA2 数据手册 (9 页)

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2N7002H6327XTSA2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.5 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.3A

上升时间

3.3 ns

输入电容值(Ciss)

20pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

3.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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2N7002H6327XTSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002H6327XTSA2 符合标准

2N7002H6327XTSA2 概述

2N7002H6327XTSA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

2N7002H6327XTSA2 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

2N7002H6327XTSA2 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

2N7002H6327XTSA2 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

2N7002H6327 数据手册

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Infineon（英飞凌）

INFINEON 2N7002 H6327 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-23-3

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Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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