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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDS9412A Datasheet 文档
FDS9412A
器件3D模型
0.95

FDS9412A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
140 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
985pF @15V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

FDS9412A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS9412A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.32 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.27 MByte

FDS9412 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm
ON Semiconductor(安森美)
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