FDT434P

￥ 1

FDT434P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT434P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDT434P 数据手册 (5 页)

FDT434P 数据手册 (5 页)

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FDT434P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-5.50 A

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

P-Channel

功耗

3 W

输入电容

1.19 nF

栅电荷

13.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

12.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1187pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

查看数据手册 >

FDT434P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDT434P 符合标准

FDT434P 海关信息

FDT434P 数据手册

FDT434P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.21 MByte

FDT434P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

17 页 / 1.1 MByte

FDT434P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.06 MByte

FDT434P 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.22 MByte

FDT434P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.23 MByte

FDT434 数据手册

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P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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