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INA148QDRQ1
器件3D模型
4.222
INA148QDRQ1 数据手册 (22 页)
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INA148QDRQ1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
260 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
70 dB
静态电流
600 µA
转换速率
1.00 V/μs
输入补偿电压
1 mV
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
100 kHz
增益带宽
70 dB
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压(Max)
30V ~ 50V

INA148QDRQ1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

INA148QDRQ1 数据手册

TI(德州仪器)
22 页 / 2.52 MByte

INA148 数据手册

TI(德州仪器)
+-200V 共模电压差动放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  INA148UA  芯片, 差分放大器, 100KHZ 1V/US SOIC8
TI(德州仪器)
差分放大器, 1 放大器, 5 mV, 100 kHz, -55 °C, 125 °C
TI(德州仪器)
+-200V 共模电压差动放大器 8-SOIC -55 to 125
TI(德州仪器)
为± 200 V共模电压差动放大器 ±200-V COMMON-MODE VOLTAGE DIFFERENCE AMPLIFIER
TI(德州仪器)
差分放大器, 共模电压, 1 放大器, 5 mV, 1 dB, 100 kHz, -40 °C, 85 °C
TI(德州仪器)
汽车类 +-200V 共模电压差分放大器
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