FDT457N

￥ 3.413

FDT457N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDT457N 数据手册 (5 页)

FDT457N 数据手册 (5 页)

1 技术参数、封装参数

5 技术参数、封装参数

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FDT457N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.043 Ω

极性

N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

235 pF

栅电荷

4.20 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

12.0 ns

输入电容值(Ciss)

235pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

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FDT457N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDT457N 符合标准

FDT457N 海关信息

FDT457N 概述

FDT457N 数据手册

FDT457N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.1 MByte

FDT457N 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

17 页 / 1.1 MByte

FDT457N 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.09 MByte

FDT457N 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDT457 数据手册

FDT457N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V

FDT457N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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