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FDT457N
0.471
FDT457N 数据手册 (5 页)
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FDT457N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.043 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1.6 V
输入电容
235 pF
栅电荷
4.20 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
12.0 ns
输入电容值(Ciss)
235pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta)

FDT457N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.56 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

FDT457N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
17 页 / 1.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDT457 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT457N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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