￥ 0.326

FDT458P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDT458P, 3.4 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDT458P 数据手册 (5 页)

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FDT458P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.105 Ω

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

12.5 ns

输入电容值(Ciss)

205pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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FDT458P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

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FDT458P 符合标准

FDT458P 概述

FDT458P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

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