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FF200R12KE4PHOSA1
161.088
FF200R12KE4PHOSA1 数据手册 (9 页)
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FF200R12KE4PHOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
7 Pin
封装
AG-62MM-1
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
14nF @25V

FF200R12KE4PHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF200R12KE4PHOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.58 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FF200R12KE4 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF200R12KE4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF200R12KE4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
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