FF200R12KT3_E 数据手册 - Infineon（英飞凌）

IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A

Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module