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FF200R12KT4HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

62MM-1

描述:

INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF200R12KT4HOSA1 数据手册 (8 页)

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FF200R12KT4HOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

62MM-1

针脚数

7 Position

极性

NPN

功耗

1.1 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

14nF @25V

额定功率(Max)

1100 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1100000 mW

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FF200R12KT4HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

106.4 mm

宽度

61.4 mm

高度

30.9 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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FF200R12KT4HOSA1 符合标准

FF200R12KT4HOSA1 海关信息

FF200R12KT4HOSA1 概述

FF200R12KT4HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.45 MByte

FF200R12KT4HOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF200R12KT4HOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF200R12KT4HOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 6.73 MByte

FF200R12KT4HOSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

FF200R12KT4 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON FF200R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

FF200R12KT4HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

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