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FF900R12IP4VBOSA1
448.663
FF900R12IP4VBOSA1 数据手册 (36 页)
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FF900R12IP4VBOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
10 Pin
封装
AG-PRIME2-1
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
54nF @25V
额定功率(Max)
5100 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
5100000 mW

FF900R12IP4VBOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF900R12IP4VBOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FF900R12IP4 数据手册

Infineon(英飞凌)
PrimePACK2模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Infineon(英飞凌)
的PrimePACK ™ 2 MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT4 , größerer发射极控制二极管4 UND NTC PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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