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FGH60N60SMD
器件3D模型
3.367
FGH60N60SMD 数据手册 (11 页)
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FGH60N60SMD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
600 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
39 ns
额定功率(Max)
600 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
600 W

FGH60N60SMD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.6 mm
宽度
4.7 mm
高度
20.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FGH60N60SMD 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.47 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.57 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 1.51 MByte

FGH60N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SMD  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH60N60SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH60N60SFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
ON Semiconductor(安森美)
FGH60N60UFD: IGBT,650V,20A,1.8V,TO-247,低 VCE(ON),场截止
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 120 A, 2.2 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
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