FGH60N60UFDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SMD  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

ON Semiconductor FGH60N60SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装

IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

ON Semiconductor FGH60N60SFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

ON Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止