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FM25L04B-G
器件3D模型
1.523
FM25L04B-G 数据手册 (14 页)
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FM25L04B-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
3 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
20 MHz
存取时间(Max)
20 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

FM25L04B-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
4.98 mm
宽度
3.987 mm
高度
1.478 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

FM25L04B-G 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
14 页 / 0.29 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
25 页 / 0.71 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
8 页 / 0.4 MByte

FM25L04 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
4-Kbit (512 x 8)串行(SPI) F-RAM
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
铁电存储器(FRAM), 4 Kbit(512 x 8)SPI, 20 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, DFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
4KB的串行3V F-RAM存储器 4Kb Serial 3V F-RAM Memory
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