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FQB27P06TM
0.61
FQB27P06TM 数据手册 (8 页)
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FQB27P06TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-27.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.055 Ω
极性
P-Channel
功耗
120 W
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
-27.0 A
上升时间
185 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.75 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 120W (Tc)

FQB27P06TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQB27P06TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.49 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
19 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FQB27P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB27P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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