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FQB55N06TM
6.604
FQB55N06TM 数据手册 (9 页)
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FQB55N06TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
3.75W (Ta), 133W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
1690pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 133W (Tc)

FQB55N06TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQB55N06TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.58 MByte

FQB55N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 55A
ON Semiconductor(安森美)
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