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FQD7P20TM
0.509
FQD7P20TM 数据手册 (10 页)
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FQD7P20TM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
DPAK (TO-252)

FQD7P20TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

FQD7P20TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.91 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.93 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

FQD7P20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD7P20TM  晶体管, P沟道
Fairchild(飞兆/仙童)
低的Crss (典型25 pF的) Low Crss(typical 25 pF)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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