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FQP19N20 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP19N20, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQP19N20 数据手册 (8 页)

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FQP19N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

功耗

140 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

190 ns

输入电容值(Ciss)

1220pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140 W

FQP19N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.2 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FQP19N20 符合标准

FQP19N20 概述

FQP19N20 数据手册

FQP19N20 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.63 MByte

FQP19N20 产品修订记录

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9 页 / 0.56 MByte

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