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FQP9N50C
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FQP9N50C 数据手册 (10 页)
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FQP9N50C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
9.00 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
800 mΩ
极性
N-Channel
功耗
135 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
135 W
下降时间
64 ns
耗散功率(Max)
135W (Tc)

FQP9N50C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQP9N50C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.82 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP9N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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