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IPD80R2K8CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-252-3

描述:

800V,1.9A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD80R2K8CE 数据手册 (15 页)

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IPD80R2K8CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

42 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

1.9A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

290pF @100V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42000 mW

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IPD80R2K8CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPD80R2K8CE 符合标准

IPD80R2K8CE 海关信息

IPD80R2K8CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 2.25 MByte

IPD80R2K8CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD80R2K8CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD80R2K8CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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