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NTD5862NT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

90A,60V,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD5862NT4G 数据手册 (7 页)

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NTD5862NT4G 数据手册 (7 页)

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NTD5862NT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0044 Ω

功耗

115 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

115 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

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NTD5862NT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD5862NT4G 符合标准

NTD5862NT4G 概述

NTD5862NT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

NTD5862NT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

NTD5862NT4 数据手册

NTD5862NT4G 数据手册

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90A,60V,N沟道功率MOSFET

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