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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQT13N06LTF Datasheet 文档
FQT13N06LTF
0.131

FQT13N06LTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.80 A
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.088 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.80 A
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.1 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1W (Tc)

FQT13N06LTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.56 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT13N06LTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.67 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte

FQT13N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT13N06LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT13N06TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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