●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和晶体管 高电流增益
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FZT649 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FZT649 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=25 V, HFE:100, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装
Diodes（美台）
DIODES INC. FZT649 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 240 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
Diodes（美台）
三极管(BJT) FZT649TC SOT-223-3
Diodes Zetex（捷特科）
NPN 晶体管，超过 1.5A，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc
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