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FZT849TA
0.309
FZT849TA 数据手册 (7 页)
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FZT849TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
7.00 A
封装
SOT-223
极性
NPN
功耗
3 W
集电极击穿电压
80.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
7A
最小电流放大倍数
100 @1A, 1V
额定功率(Max)
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

FZT849TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FZT849TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.76 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.16 MByte

FZT849 数据手册

Diodes(美台)
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  FZT849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
Diodes(美台)
三极管
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
Vishay Semiconductor(威世)
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