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HGTP3N60A4
1.033
HGTP3N60A4 数据手册 (10 页)
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HGTP3N60A4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
70 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

HGTP3N60A4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTP3N60A4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.25 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

HGTP3N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
6A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
Fairchild(飞兆/仙童)
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