￥ 1.422

HGTP3N60A4D 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

HGTP3N60A4D 数据手册 (9 页)

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HGTP3N60A4D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

70000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

29 ns

额定功率(Max)

70 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70000 mW

HGTP3N60A4D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Rail

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTP3N60A4D 符合标准

HGTP3N60A4D 海关信息

HGTP3N60A4D 数据手册

HGTP3N60A4D 其他数据使用手册

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