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HUF75321D3ST 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

HUF75321D3ST: N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，20A，36mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF75321D3ST 数据手册 (10 页)

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HUF75321D3ST 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

93 W

漏源极电压(Vds)

55 V

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

680pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

93 W

下降时间

66 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

93000 mW

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HUF75321D3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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HUF75321D3ST 符合标准

HUF75321D3ST 概述

HUF75321D3ST 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.67 MByte

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