￥ 1.217

IKA10N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IKA10N60T 数据手册 (13 页)

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IKA10N60T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

30 W

功耗

30000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

115 ns

额定功率(Max)

30 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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IKA10N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.99 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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IKA10N60T 符合标准

IKA10N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.49 MByte

IKA10N60T 产品设计参考手册

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IKA10N60T 开发手册

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