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IMZ1AT108
0.102
IMZ1AT108 数据手册
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IMZ1AT108 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SOT-457
功耗
300 mW
最小电流放大倍数
120
直流电流增益(hFE)
120
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IMZ1AT108 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IMZ1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  IMZ1AT108  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
IMZ1A NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记Z1 用于开关/数字电路
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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