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KSC5026MOS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔硅晶体管 - TO-126-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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KSC5026MOS 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

KSC5026MOS 数据手册 (6 页)

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KSC5026MOS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

15 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

800 V

最小电流放大倍数

20 @100mA, 5V

额定功率(Max)

20 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

20000 mW

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KSC5026MOS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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KSC5026MOS 符合标准

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ON Semiconductor（安森美）

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