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KSC5026MOS
0.232
KSC5026MOS 数据手册 (6 页)
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KSC5026MOS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
15 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
1.50 A
封装
TO-126-3
极性
NPN
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
800 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
20 @100mA, 5V
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

KSC5026MOS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
高度
11.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSC5026MOS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.13 MByte

KSC5026 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔 硅 晶体管 - TO-126-3
ON Semiconductor(安森美)
NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔 硅 晶体管 - TO-126-3
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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