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IPA60R650CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPA60R650CE 数据手册 (16 页)

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IPA60R650CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

极性

N-CH

功耗

28 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

440pF @100V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

63 W

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IPA60R650CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.9 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPA60R650CE 符合标准

IPA60R650CE 海关信息

IPA60R650CE 概述

IPA60R650CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 1.12 MByte

IPA60R650CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA60R650CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 1.18 MByte

IPA60R650CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA60R650 数据手册

IPA60R650CEXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R650CEXKSA1, 9.9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装

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