￥ 1.464

IPL60R385CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-VSON-4

描述:

INFINEON IPL60R385CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPL60R385CP 数据手册 (13 页)

封装尺寸在12 页

IPL60R385CP 数据手册 (13 页)

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IPL60R385CP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

PG-VSON-4

通道数

1 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

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IPL60R385CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

8 mm

宽度

8.1 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPL60R385CP 符合标准

IPL60R385CP 海关信息

IPL60R385CP 概述

IPL60R385CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.59 MByte

IPL60R385 数据手册

IPL60R385CPAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R385CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

IPL60R385CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R385CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

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